田中贵金属工业宣布，该公司与SUSSMicroTec合作开发出了采用亚微米尺寸金（Au）粒子的图案转印及接合技术。计划2012年3月开始销售采用该技术的转印基板和制造装置。
目前，在MEMS、led及小型电子部件等的封装技术中一直采用的是配合电镀、丝网印刷及溅射等在晶圆上形成Au-Au及Ag-Sn（锡）等金属接合方法。但是，金属接合存在的课题是需要高温工艺且生产效率低。
此次开发出了能在150℃的低温下将Ag粒子统一图案转印到硅晶圆上的技术。转印后的Au粒子能在200℃的低温下能在晶圆上实现金属接合。因此，能够实现有利于吸收接合面高低差且耐热性高的气密封装和电布线。另外，可将价格昂贵的Au材料的利用效率提高到100％。此次的合作开发得到了早稻田大学纳米技术研究所庄子习一教授和水野润副教授的协助。
