PMMA光刻胶

PMMA光刻胶是电子束正胶，其主要的特点就是超高分辨率、高对比度、可见光有高透过率。PMMA的缺点是抗等离子刻蚀能力比较差，不如大多数光刻胶，所以一般PMMA不用来做干法刻蚀的掩模，而是作为金属溶脱（lift-off）的掩模。PMMA光刻胶应用范围：纳米尺度的光栅，纳米尺度的电子器件，纳米结构，波导，金字形删或蘑菇形删（需要双层结构），量子点，牺牲层。南京百思优科技有限公司生产的PMMA光刻胶种类齐全，不同的系列中包含了各种分子量，各种溶剂（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各种固含量的PMMA，适合目前各种电子束曝光应用的电子束正胶。能满足集成电路生产中掩膜加工的高质量要求。PMMA光刻胶也可用于多层工艺，在玻璃、金属和硅等材料表面的附着力非常好。用低固体含量的型号可以得到30nm厚膜，特别适合制成纳米图形。