位于美国马萨诸塞州陶顿（Taunton）的微型显示器制造商Kopin公司，开发出了一种新颖的外延电阻性接点（Epitaxial Ohmic Contact）技术，该技术能够在减小接点电阻的同时提高接点的稳定性，这样就可以制造出非常适合于诸如便携式和商业照明应用等苛刻环境的led。这一首次将单晶结点形成于氮化镓（GaN）之上的研发成果有望实现比常用的多晶结点更为优越的性能。
每根引线与衬底相连接的位置一直是led结构设计中的一个突出的弱点，而且，接点的电阻也是改善电气性能的一个障碍。提高接点的温度稳定性并减小其电阻可以降低物理迟滞和驱动电压方面的要求。
接点是通过将金、镍和金这三个金属层沉积在一个p型GaN表面，并在空气中进行30分钟470℃的退火处理的方法来形成的。与p-GaN相接触的金层通过域匹配（Domain Matching）进行外延生长，其作用是为通过晶格匹配（Lattice Matching）来进行镍氧化物的生长提供一个模板。
经测量，采用该技术可实现约 10μΩ/cm2的接点电阻，并能在30分钟的时间里耐受高达350℃的温度。结合这家制造商的其他改进措施，该技术能够制造出只需2.9V（而非现用的3.3V）驱动电压的性能稳定的蓝色LED。
